Macchina CVD
Sistema Macchina MPCVD a Risonatore Cilindrico per Deposizione Chimica da Vapore al Plasma a Microonde e Crescita di Diamanti da Laboratorio
Numero articolo: TU-CVD06
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Panoramica del Prodotto


Questo sistema ad alte prestazioni per la deposizione chimica da vapore al plasma a microonde (MPCVD) è una soluzione di primo livello per la sintesi di film diamantati di alta qualità e diamanti monocristallini. Utilizzando una camera a vuoto sofisticata e un generatore a microonde di alta potenza, l'attrezzatura facilita la decomposizione dei gas precursori in uno stato di plasma reattivo. Questo processo consente la deposizione precisa di atomi di carbonio sui substrati, permettendo la crescita di materiali con eccezionale durezza, conducibilità termica e trasparenza ottica. Il sistema è progettato per fornire un ambiente stabile e senza elettrodi, essenziale per mantenere i livelli di purezza estrema richiesti nella scienza dei materiali avanzata.
Principalmente al servizio delle industrie dei semiconduttori, dell'ottica e delle gemme, questo reattore è progettato per soddisfare le rigorose esigenze sia della produzione industriale che della R&D di alto livello. Che l'obiettivo sia produrre substrati diamantati di grande area per l'elettronica di potenza o diamanti grezzi di alta trasparenza per il mercato della gioielleria, l'attrezzatura fornisce risultati coerenti. La sua capacità di far crescere strutture sia monocristalline che policristalline la rende una risorsa versatile per i laboratori che si concentrano su soluzioni di gestione termica di nuova generazione e sulla produzione di utensili da taglio ad alta precisione.
Costruito per l'eccellenza operativa a lungo termine, questo sistema vanta una comprovata esperienza di oltre 40.000 ore di prestazioni stabili in ambienti industriali impegnativi. La robusta costruzione in acciaio inossidabile 304, unita a un'architettura di raffreddamento ad acqua avanzata, garantisce la stabilità termica anche durante le scariche a microonde ad alta potenza. L'affidabilità è al centro del suo design, offrendo a ricercatori e produttori la ripetibilità necessaria per scalare processi di deposizione complessi senza compromettere la qualità del cristallo o l'integrità strutturale.
Caratteristiche Principali
- Generatore a Microonde Regolabile ad Alta Potenza: Il sistema è dotato di un'uscita a microonde continuamente regolabile da 1 a 10kW a 2450 MHz, fornendo la densità energetica necessaria per la rapida crescita del diamante mantenendo una stabilità inferiore a ±1%.
- Cavità Risonante Cilindrica Avanzata: Utilizzando le modalità TM021 o TM023, il design del risonatore cilindrico ottimizza la distribuzione del campo a microonde per formare una sfera di plasma stabile e sospesa che evita il contatto con le pareti della camera per prevenire la contaminazione.
- Capacità di Crescita su Grande Area: L'unità supporta un'area di crescita del substrato di 3 pollici, consentendo un carico massimo in batch fino a 45 diamanti individuali, il che aumenta significativamente la produttività per le operazioni commerciali.
- Generazione di Plasma Senza Elettrodi: A differenza di altri metodi di deposizione, questo approccio basato su microonde elimina filamenti caldi ed elettrodi, garantendo che l'ambiente di crescita sia privo di impurità metalliche e prodotti di degradazione del filamento.
- Distribuzione e Controllo di Precisione dei Gas: Dotato di un sistema a 5 canali con controllori di flusso di massa (MFC) per H2, CH4, O2, N2 e Ar, l'attrezzatura consente un controllo stechiometrico esatto dei gas reagenti per ottimizzare le proprietà del cristallo.
- Automazione Integrata con PLC Siemens: Un PLC Siemens Smart 200 e un'interfaccia touch screen intuitiva forniscono un controllo completo sulla temperatura di crescita, i cicli di pressione e le sequenze automatiche di rampa di salita/discesa.
- Integrità del Vuoto Superiore: La camera di reazione raggiunge un tasso di perdita del vuoto inferiore a 5 × 10⁻⁹ Pa·m³/s, utilizzando una combinazione di guarnizioni a C metalliche e guarnizioni in gomma per mantenere le condizioni incontaminate necessarie per la sintesi ad alta purezza.
- Gestione Termica Completa: Un sistema di raffreddamento ad acqua multilinea monitora temperatura e flusso in tempo reale, dissipando efficacemente il calore in eccesso per proteggere le finestre in quarzo e le guarnizioni della camera durante il funzionamento prolungato a 10kW.
- Monitoraggio del Processo in Tempo Reale: Dotato di un termometro a infrarossi esterno con un intervallo di 300-1400 °C e otto porte di osservazione dedicate, il sistema consente il monitoraggio preciso della temperatura del substrato e della stabilità del plasma.
Applicazioni
| Applicazione | Descrizione | Vantaggio Chiave |
|---|---|---|
| Sintesi di Gemme | Produzione di diamanti grezzi monocristallini di grandi dimensioni e alta trasparenza per l'industria della gioielleria. | Purezza superiore e controllo del colore rispetto ai metodi HPHT. |
| Substrati per Semiconduttori | Crescita di wafer diamantati di grande area utilizzati come dissipatori di calore o strati attivi nell'elettronica di potenza. | Conducibilità termica estrema e alta tensione di breakdown elettrico. |
| Finestre Ottiche | Fabbricazione di piastre di diamante per finestre di laser ad alta potenza e apparecchiature per spettroscopia a infrarossi. | Trasparenza spettrale ampia e eccezionale durata meccanica. |
| Utensili da Taglio & Perforazione | Deposizione di strati di diamante policristallino (PCD) su componenti industriali per taglio, rettifica e perforazione. | Massima durezza e resistenza all'usura per lavorazioni impegnative. |
| Ricerca Quantistica | Sviluppo di substrati diamantati con specifici centri nitrogeno-vacanza (NV) per il calcolo quantistico e il sensing. | Controllo preciso sui droganti e livelli di impurità di fondo estremamente bassi. |
| Gestione Termica | Creazione di dissipatori di calore a base di diamante per array LED ad alta densità e moduli di comunicazione aerospaziali. | Dissipazione del calore ottimizzata per estendere la durata e le prestazioni dei componenti. |
Specifiche Tecniche
| Categoria | Parametro | Specifica (Numero Articolo: TU-CVD06) |
|---|---|---|
| Sistema a Microonde | Frequenza | 2450 ± 15 MHz |
| Potenza di Uscita | 1 – 10 KW (Regolabile in Continuo) | |
| Stabilità di Potenza | < ±1% | |
| Perdite di Microonde | ≤ 2 mW/cm² | |
| Interfaccia Guida d'Onda | WR340, 430 con Flangia Standard FD-340, 430 | |
| Coeff. d'Onda Stazionaria | VSWR ≤ 1.5 | |
| Alimentazione Elettrica | 380VAC / 50Hz ± 10%, Trifase | |
| Camera di Reazione | Tasso di Perdita del Vuoto | < 5 × 10⁻⁹ Pa·m³/s |
| Pressione Limite | < 0.7 Pa (con manometro a vuoto Pirani) | |
| Mantenimento della Pressione | Aumento ≤ 50 Pa dopo 12 ore | |
| Modalità di Lavoro | TM021 o TM023 | |
| Materiale & Struttura | Acciaio Inossidabile 304 con intercapedine raffreddata ad acqua | |
| Metodo di Tenuta | Piastra in quarzo ad alta purezza; Guarnizioni a C metalliche e CF/KF | |
| Modalità di Immissione Aria | Immissione aria uniforme anulare superiore | |
| Porte di Osservazione | 8 Finestre per monitoraggio temperatura e visivo | |
| Gestione Campioni | Diametro Tavolo | ≥ 72 mm (Area effettiva ≥ 66 mm) |
| Struttura Tavolo | Architettura a sandwich raffreddata ad acqua | |
| Posizionamento | Sollevamento e abbassamento elettrico per il posizionamento preciso del plasma | |
| Sistema Flusso Gas | Canali Gas | 5 Canali (H2, CH4, O2, N2, Ar) |
| Portate MFC | H2: 1000 sccm; CH4: 100 sccm; O2/N2: 2 sccm; Ar: 10 sccm | |
| Tipi di Giunzione | Tutti saldature metalliche o giunti VCR | |
| Pressione di Lavoro | 0.05 – 0.3 MPa (Precisione ±2%) | |
| Raffreddamento & Sicurezza | Portata Acqua | ≤ 50 L/min (Totale sistema); 6-12 L/min (Microonde) |
| Monitoraggio | Sensori di temperatura e flusso in tempo reale con interblocco | |
| Controllo Sicurezza | Interblocco funzionale per acqua, alimentazione e pressione | |
| Sistema di Controllo | Architettura | PLC Siemens Smart 200 con Touch Screen |
| Funzioni | Bilanciamento automatico temp. crescita, controllo pressione, rampa automatica | |
| Intervallo Temperatura | 300 – 1400 °C (Termometro a Infrarossi Esterno) |
Perché Scegliere Questo Prodotto
- Stabilità Ineguagliabile: Con una comprovata esperienza di oltre 40.000 ore operative, questo sistema fornisce l'affidabilità di livello industriale richiesta per cicli continui di crescita del diamante.
- Ingegnerizzazione del Plasma Avanzata: Il design della cavità risonante cilindrica garantisce che il plasma rimanga centrato e sospeso, eliminando il contatto con le pareti e assicurando la massima purezza del materiale depositato.
- Produzione Scalabile: La grande area di crescita da 3 pollici e il sistema a microonde da 10kW ad alta potenza consentono la lavorazione in batch ad alta produttività, riducendo significativamente il costo per carato per i produttori di diamanti gemma e industriali.
- Supporto Completo: Forniamo un programma di supporto tecnico "Zero Esperienza", offrendo ricette all'avanguardia per la crescita del diamante e formazione esperta per garantire che il tuo team raggiunga il successo immediato.
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