Sistema PECVD a Rotazione Inclinata per la Deposizione di Film Sottili e la Sintesi di Nanomateriali

Macchina PECVD

Sistema PECVD a Rotazione Inclinata per la Deposizione di Film Sottili e la Sintesi di Nanomateriali

Numero articolo: TU-PE02

Grado di Vuoto Ultimo: ≤5×10-5Pa Potenza di Uscita del Plasma: 500W—1000W Precisione del Controllo della Temperatura: ±0.5℃
Qualità Assicurata Fast Delivery Global Support

Spedizione: Contattaci per ottenere i dettagli sulla spedizione. Buon divertimento Garanzia di spedizione puntuale.

Panoramica del Prodotto

Immagine prodotto 3

Questo avanzato sistema di trattamento termico potenziato al plasma rappresenta l'apice della tecnologia di deposizione di film sottili, progettato specificamente per ricercatori e produttori industriali che richiedono rivestimenti ad alta purezza. Integrando un meccanismo a rotazione inclinata con le capacità della Deposizione Chimica da Vapore Potenziata al Plasma (PECVD), l'attrezzatura consente la creazione di film solidi da precursori in fase vapore a temperature significativamente più basse rispetto alla CVD termica tradizionale. Questa capacità è essenziale per processare substrati sensibili alla temperatura, inclusi materiali a basso punto di fusione e strutture composite complesse, senza compromettere l'integrità del materiale di base.

Il sistema è progettato per fungere da postazione di lavoro versatile per la scienza dei materiali, la microelettronica e le nanotecnologie. Facilita la crescita di dielettrici, semiconduttori e film metallici di alta qualità attraverso un ambiente controllato con precisione in cui il plasma, e non solo il calore, attiva i gas sorgente. Questa unità è particolarmente efficace per applicazioni nell'illuminazione a LED, nei semiconduttori di potenza e nella fabbricazione di dispositivi MEMS, offrendo una piattaforma robusta sia per processi standardizzati che per lo sviluppo sperimentale di materiali in ambienti di laboratorio e di produzione pilota impegnativi.

Costruito per un'affidabilità operativa a lungo termine, questa attrezzatura presenta un'architettura a vuoto in acciaio inox 316 di alta qualità e un'automazione avanzata. L'integrazione di pompe a vuoto ad alte prestazioni e controllori di flusso di massa di precisione garantisce risultati costanti e ripetibili per migliaia di cicli. Che venga utilizzato per la sintesi di materiali 2D come il grafene o per la deposizione di rivestimenti ottici protettivi, il sistema offre la precisione tecnica e la durata meccanica richieste per una rigorosa ricerca e sviluppo industriale.

Caratteristiche Principali

  • Precisione di Deposizione a Bassa Temperatura: Utilizzando plasma ad alta energia per stimolare le reazioni chimiche, questo sistema ottiene una formazione di film superiore a temperature comprese tra 200°C e 450°C. Ciò protegge i substrati delicati e riduce il budget termico dell'intero processo di fabbricazione.
  • Meccanismo a Rotazione Inclinata: L'architettura unica del portacampioni rotante, regolabile da 0 a 20 giri/min, garantisce un'eccezionale uniformità del rivestimento su tutta la superficie del substrato. Ciò è particolarmente vantaggioso per geometrie complesse e per prevenire l'esaurimento localizzato dei precursori durante la deposizione ad alta velocità.
  • Architettura a Vuoto ad Alte Prestazioni: La camera è costruita in acciaio inox 316 e supportata da un sistema di pompaggio a due stadi, inclusa una pompa turbo-molecolare ad alta capacità. Questa configurazione raggiunge un grado di vuoto finale ≤5×10⁻⁵ Pa, garantendo un ambiente privo di contaminanti per la crescita di materiali sensibili.
  • Controllo Avanzato della Potenza al Plasma: Dotato di opzioni di alimentazione sia in CC che in RF (500W-1000W), il sistema offre modalità di accoppiamento flessibili, incluso induttivo o capacitivo a piastre. Ciò consente agli utenti di adattare la densità e l'energia del plasma a specifici requisiti dei precursori.
  • Controllo di Flusso di Massa a Quattro Canali: Un sofisticato sistema di distribuzione dei gas con quattro canali MFC indipendenti consente la miscelazione precisa di precursori e gas di trasporto, permettendo la sintesi di composti ternari e quaternari complessi con stechiometria esatta.
  • Gestione Termica PID di Precisione: Utilizzando un controllore PID SHIMADEN ad alta precisione, il sistema mantiene la stabilità della temperatura entro ±0,5°C. Questo livello di controllo è vitale per mantenere costanti le velocità di reazione e la morfologia del film durante l'intero ciclo di deposizione.
  • Design Robusto della Camera: La camera a vuoto da 500mm x 550mm presenta un portello di osservazione a vista completa con deflettore protettivo, che consente agli operatori di monitorare in sicurezza la scarica al plasma e il processo di deposizione in tempo reale senza compromettere l'integrità termica o del vuoto.
  • Adesione e Qualità Superiore del Film: La natura energetica del processo di deposizione al plasma si traduce in film con eccellente adesione ai substrati, alta densità e pori minimi, riducendo significativamente il rischio di crepe o delaminazione nel prodotto finito.

Applicazioni

Applicazione Descrizione Vantaggio Chiave
Semiconduttori di Potenza Deposizione di strati isolanti, ossidi di gate e film di passivazione SiNx su wafer di GaN o SiC. Protegge l'integrità del dispositivo attraverso una lavorazione a basso budget termico.
Fabbricazione MEMS Produzione di film sottili di alta qualità per microattuatori, sensori e componenti strutturali. Fornisce rivestimenti uniformi e resistenti alle crepe su microstrutture 3D complesse.
Celle Solari a Film Sottile Crescita di film di silicio amorfo e microcristallino per dispositivi fotovoltaici ad alta efficienza. Consente alte velocità di deposizione su grandi aree con proprietà elettroniche consistenti.
Rivestimenti Ottici Applicazione di strati antiriflesso e filtri ottici su substrati di vetro o plastica. Garantisce un controllo preciso dello spessore e un'elevata trasparenza ottica a basse temperature.
Nanotecnologia Sintesi di nanomateriali, inclusi nanotubi di carbonio, nanofili e crescita di grafene. Fornisce un controllo a livello molecolare sulla morfologia senza la necessità di catalizzatori metallici.
Modifica Superficiale Miglioramento di componenti industriali con film di carbonio tipo diamante (DLC) resistenti all'usura o biocompatibili. Migliora significativamente la durata e le prestazioni dei componenti in ambienti ostili.
Produzione di LED Deposizione di film dielettrici e semiconduttori per diodi emettitori di luce ad alta luminosità. Ottimizza l'estrazione della luce e l'affidabilità del dispositivo attraverso strati di film ad alta purezza.

Specifiche Tecniche

Categoria Parametro Dettaglio Specifica Dati Tecnici (Modello: TU-PE02)
Gestione Substrato Dimensione Portacampioni 1-6 pollici
Velocità di Rotazione 0-20 giri/min regolabile
Prestazioni Termiche Temperatura Massima di Riscaldamento ≤800°C
Precisione di Controllo ±0,5°C (Controllore PID SHIMADEN)
Gestione Gas Tipo di Controllo di Flusso Controllore a Flussometro di Massa (MFC)
Canali Gas 4 canali indipendenti
Porta di Ingresso Gas Connettore VCR φ6
Sistema a Vuoto Dimensioni Camera Φ500mm x 550mm
Materiale Camera Acciaio inox 316
Grado di Vuoto Finale ≤5×10⁻⁵ Pa
Pompa Primaria Pompa a vuoto a palette 15L/S
Pompa Alto Vuoto Pompa turbo (1200L/s o 1600L/s)
Sensori di Vuoto Manometri a ionizzazione / a resistenza / a membrana
Porte Vuoto CF200 (Pompa), KF25 (Sfogo)
Sorgente Plasma Tipo Potenza Sorgente Alimentazione CC o RF
Intervallo Potenza di Uscita 500W — 1000W
Potenza di Polarizzazione 500V
Modalità di Accoppiamento Induttivo o capacitivo a piastre
Requisiti Impianto Alimentazione Elettrica AC 220V / 380V; 50Hz
Consumo Energetico Nominale 5kW
Metodo di Raffreddamento Raffreddamento ad acqua circolante
Caratteristiche Fisiche Dimensioni 900mm x 820mm x 870mm
Peso Attrezzatura 200kg
Tipo di Accesso Porta ad apertura anteriore con cappuccio in acciaio inox 304

Perché Scegliere Questo Prodotto

  • Ingegneria Avanzata a Basso Budget Termico: Il nostro sistema è specificamente ottimizzato per produrre film di grado industriale a temperature che preservano le proprietà dei substrati sensibili, offrendo un vantaggio critico per l'elettronica di prossima generazione.
  • Affidabilità di Grado Industriale: Costruito con acciaio inox 316 compatibile con l'alto vuoto e componenti di prima qualità come i controllori SHIMADEN, l'unità è progettata per un funzionamento continuo in ambienti di R&S e produzione rigorosi.
  • Versatilità di Processo Ineguagliabile: Con la miscelazione di gas a quattro canali e le opzioni ibride di plasma RF/CC, gli utenti possono passare dalla deposizione di dielettrici, semiconduttori e rivestimenti duri con una riconfigurazione minima.
  • Risultati Guidati dalla Precisione: La combinazione del movimento rotatorio del substrato e del controllo di flusso di massa ad alta precisione garantisce che l'uniformità e lo spessore del film siano mantenuti entro le tolleranze più esigenti richieste dalla moderna scienza dei materiali.
  • Supporto Scalabile e Personalizzabile: Oltre alle specifiche standard, il nostro team di ingegneria fornisce servizi completi di personalizzazione sia per l'hardware che per il software, garantendo che l'attrezzatura si integri perfettamente nel vostro specifico flusso di processo.

Per una consulenza dettagliata o per ricevere un preventivo formale personalizzato in base alle vostre specifiche esigenze di film sottile, contattate oggi stesso il nostro team di vendita tecnica.

Visualizza altre domande frequenti per questo prodotto

RICHIEDI UN PREVENTIVO

Il nostro team professionale ti risponderà entro un giorno lavorativo. Non esitare a contattarci!

Prodotti correlati

Sistema CVD per Deposizione Chimica da Vapore Forno a tubo PECVD scorrevole con gassificatore di liquidi Macchina PECVD

Sistema CVD per Deposizione Chimica da Vapore Forno a tubo PECVD scorrevole con gassificatore di liquidi Macchina PECVD

Questo forno a tubo PECVD scorrevole ad alte prestazioni è dotato di una sorgente di plasma RF da 500W e un gassificatore di liquidi per la deposizione precisa di film sottili. Progettato per la R&S, offre riscaldamento e raffreddamento rapidi, un controllo avanzato del flusso di gas e una eccellente uniformità termica.

Forno PECVD compatto auto-scorrevole Max 1200°C con tubo da 2 pollici e pompa per vuoto

Forno PECVD compatto auto-scorrevole Max 1200°C con tubo da 2 pollici e pompa per vuoto

Questo forno PECVD compatto auto-scorrevole da 1200°C è dotato di un tubo da 2 pollici e di una pompa per vuoto integrata. Ideale per la deposizione di film sottili a bassa temperatura, utilizza un plasma RF da 300 W per un controllo superiore della stechiometria e un trattamento termico rapido nella ricerca avanzata sui materiali industriali.

Sistema RF PECVD a Plasma a Radiofrequenza per la Crescita di Film Sottili da Laboratorio e Industriale

Sistema RF PECVD a Plasma a Radiofrequenza per la Crescita di Film Sottili da Laboratorio e Industriale

Questo avanzato sistema di deposizione chimica da vapore potenziata a plasma a radiofrequenza RF PECVD fornisce una crescita di film sottili ad alta purezza a basse temperature per substrati sensibili nella produzione di semiconduttori, nella ricerca sui rivestimenti ottici e nelle applicazioni di ricerca e sviluppo di scienza dei materiali industriale.

Forno a doppio tubo scorrevole da 1200°C con doppi tubi e flange per processi PECVD

Forno a doppio tubo scorrevole da 1200°C con doppi tubi e flange per processi PECVD

Accelera la ricerca sui materiali con questo forno a doppio tubo scorrevole da 1200°C progettato per processi PECVD di precisione. Dotato di un generatore di plasma RF ad alta potenza e capacità di elaborazione termica rapida, offre un'eccezionale uniformità del film e risultati costanti per applicazioni avanzate di R&S industriale.

Forni tubolari rotanti inclinabili da laboratorio per la scienza dei materiali e il trattamento termico industriale

Forni tubolari rotanti inclinabili da laboratorio per la scienza dei materiali e il trattamento termico industriale

Forni tubolari rotanti inclinabili ad alte prestazioni progettati per il trattamento termico di precisione in laboratorio. Dotati di controllo PID avanzato, angoli di inclinazione regolabili e un’eccellente uniformità termica, questi sistemi ottimizzano il recupero dei metalli e la sintesi dei materiali per applicazioni esigenti di ricerca industriale e R&D.

Forno rotativo a tubo da 5 pollici con sistema di alimentazione e ricezione automatico, 1200°C, tre zone, per lavorazione polveri CVD

Forno rotativo a tubo da 5 pollici con sistema di alimentazione e ricezione automatico, 1200°C, tre zone, per lavorazione polveri CVD

Forno rotativo a tubo professionale da 5 pollici con sistema di alimentazione e ricezione automatico. Riscaldamento a tre zone ad alta capacità da 1200°C per la sintesi di materiali per batterie agli ioni di litio in atmosfera controllata o sottovuoto. Ideale per ricerca e sviluppo industriale scalabile e produzione pilota ottimizzata per l'efficienza del trattamento termico.

Forno CVD Rotativo a Due Zone con Sistema di Alimentazione e Ricezione Automatica per la Lavorazione delle Polveri

Forno CVD Rotativo a Due Zone con Sistema di Alimentazione e Ricezione Automatica per la Lavorazione delle Polveri

Massimizza l'efficienza della ricerca sui materiali con questo forno CVD rotativo a due zone, dotato di sistemi automatici di alimentazione e ricezione. Perfetto per la produzione di elettrodi per batterie agli ioni di litio e per la calcinazione di composti inorganici in ambienti con atmosfera e temperatura controllate con precisione per la R&S industriale.

Forno tubolare rotativo a 3 zone 1500C, 60 mm, con sistema automatico di alimentazione e ricezione polveri per sintesi continua di materiali

Forno tubolare rotativo a 3 zone 1500C, 60 mm, con sistema automatico di alimentazione e ricezione polveri per sintesi continua di materiali

Questo forno rotativo a tre zone da 1500°C è dotato di un sistema integrato automatico di alimentazione e ricezione per la lavorazione continua di materiali. Ideale per la sintesi di catodi per batterie e la deposizione chimica da vapore, offre un controllo preciso della temperatura e stabilità atmosferica per la ricerca e lo sviluppo industriale avanzato.

Forno a tubo rotante a tre zone di temperatura per la sinterizzazione dei materiali e il trattamento termico in atmosfera controllata

Forno a tubo rotante a tre zone di temperatura per la sinterizzazione dei materiali e il trattamento termico in atmosfera controllata

Migliora il trattamento termico con questo forno a tubo rotante a tre zone di temperatura. Dotato di elementi svedesi Kanthal A1 e inclinazione da 0 a 40 gradi, offre una uniformità superiore per la sinterizzazione di polveri e la ricerca su materiali ad alta purezza in condizioni di vuoto o atmosfera controllata per i dipartimenti di R&S industriale.

Forno a tubo rotante a tre zone da 5 pollici con sistema di erogazione gas integrato e capacità di 1200°C per la lavorazione CVD di materiali avanzati

Forno a tubo rotante a tre zone da 5 pollici con sistema di erogazione gas integrato e capacità di 1200°C per la lavorazione CVD di materiali avanzati

Questo forno a tubo rotante a tre zone ad alta precisione da 1200°C è dotato di un sistema di erogazione gas a quattro canali integrato e di un meccanismo di inclinazione automatizzato, offrendo un trattamento termico uniforme e deposizione chimica da vapore (CVD) per materiali avanzati per batterie, sintesi di catodi e applicazioni di ricerca industriale sulle polveri.

Sistema Macchina MPCVD a Risonatore Cilindrico per Deposizione Chimica da Vapore al Plasma a Microonde e Crescita di Diamanti da Laboratorio

Sistema Macchina MPCVD a Risonatore Cilindrico per Deposizione Chimica da Vapore al Plasma a Microonde e Crescita di Diamanti da Laboratorio

Questo avanzato sistema MPCVD offre un ambiente ad alta purezza per la sintesi di diamanti da laboratorio e la deposizione di film semiconduttori. Dotato di un generatore a microonde da 10kW e di un risonatore cilindrico, garantisce una crescita stabile e ripetibile per R&S industriale e produzione di gemme.

Forno a tubo rotativo a due zone per rivestimento CVD di polveri e sintesi di materiali core-shell 1100°C

Forno a tubo rotativo a due zone per rivestimento CVD di polveri e sintesi di materiali core-shell 1100°C

Ottimizza la lavorazione delle polveri con questo forno a tubo rotativo a due zone ad alte prestazioni da 1100°C. Progettato specificamente per il rivestimento CVD e la sintesi core-shell, è dotato di un tubo in quarzo da cinque pollici e pale di miscelazione per garantire un'eccezionale uniformità termica e una produzione costante di lotti di materiale.

Forno a Tubo Rotante a Tre Zone con Alimentazione Automatica di Polveri per Rivestimenti CVD su Larga Scala 1100°C

Forno a Tubo Rotante a Tre Zone con Alimentazione Automatica di Polveri per Rivestimenti CVD su Larga Scala 1100°C

Avanzato forno a tubo rotante a tre zone da 1100°C con alimentazione automatica delle polveri e tubo in quarzo da 15 pollici per rivestimenti CVD su larga scala. Ottimizza la sintesi degli elettrodi per batterie con uniformità termica precisa ed efficiente lavorazione delle polveri per ambienti di ricerca industriale e produzione.

Forno tubolare rotativo CVD a due zone da 4 pollici per la sintesi di materiali per batterie ad alta temperatura e la calcinazione di materiali avanzati

Forno tubolare rotativo CVD a due zone da 4 pollici per la sintesi di materiali per batterie ad alta temperatura e la calcinazione di materiali avanzati

Questo forno tubolare rotativo CVD a due zone ad alte prestazioni offre un trattamento termico di precisione fino a 1200°C. Ideale per la ricerca sui materiali per batterie, è dotato di rotazione variabile, inclinazione regolabile e controllo PID a doppia zona per una uniformità superiore nella calcinazione di composti inorganici e nella sintesi di anodi silicio-carbonio.

Forno a tubo rotante a due zone da 5 pollici 1100°C per CVD di polveri e sintesi di materiali

Forno a tubo rotante a due zone da 5 pollici 1100°C per CVD di polveri e sintesi di materiali

Migliora la ricerca sui materiali con il nostro forno a tubo rotante a due zone ad alta precisione da 1100°C. Progettato specificamente per CVD di polveri uniforme e sintesi core-shell, questo sistema al quarzo da 5 pollici offre un controllo avanzato dell'atmosfera e un'ottimizzazione del trattamento termico a doppia zona indipendente.

Forno tubolare rotativo inclinabile ad alta temperatura per il trattamento termico continuo di polveri e la sinterizzazione in atmosfera controllata

Forno tubolare rotativo inclinabile ad alta temperatura per il trattamento termico continuo di polveri e la sinterizzazione in atmosfera controllata

Questo forno tubolare rotativo inclinabile industriale ad alta temperatura offre un trattamento preciso e continuo delle polveri e un trattamento termico uniforme in atmosfera controllata. Progettato per l'eccellenza nella ricerca e sviluppo e nella produzione, è dotato di meccanismi di inclinazione avanzati, controller di flusso di massa integrati e una gestione affidabile della temperatura PID.

Sistema a Reattore MPCVD a 915 MHz per Diamanti Macchina a Deposizione Chimica da Vapore al Plasma a Microonde

Sistema a Reattore MPCVD a 915 MHz per Diamanti Macchina a Deposizione Chimica da Vapore al Plasma a Microonde

Sistema ad alte prestazioni a 915 MHz per la deposizione chimica da vapore al plasma a microonde per la sintesi rapida di diamanti monocristallini ad alta purezza. Caratterizzato da potenza regolabile da 3 a 75 kW, controllo di vuoto di precisione e camere di reazione scalabili per la produzione industriale di gemme e materiali semiconduttori.

Forno a tubo rotativo inclinabile ad alta temperatura con controllo del flusso di massa integrato e riscaldamento multizona

Forno a tubo rotativo inclinabile ad alta temperatura con controllo del flusso di massa integrato e riscaldamento multizona

Questo forno a tubo rotativo inclinabile ad alte prestazioni offre una lavorazione continua dei materiali con controllo preciso della temperatura e integrazione di gas multicanale. Progettato per la ricerca e sviluppo industriale, garantisce un trattamento termico uniforme per la sintesi di materiali avanzati e applicazioni di test metallurgici su larga scala.

Forno a tubo CVD a camera divisa con stazione di vuoto - Sistema per deposizione chimica da vapore

Forno a tubo CVD a camera divisa con stazione di vuoto - Sistema per deposizione chimica da vapore

Sistema avanzato di forno a tubo CVD a camera divisa con stazione di vuoto integrata e controllo gas MFC a 4 canali. Progettato per la deposizione precisa di film sottili, la sintesi di nanomateriali e la ricerca e sviluppo nel settore dei semiconduttori, questa unità garantisce elevata precisione della temperatura e un'uniformità di deposizione eccezionale.

Forno a scorrimento CVD a doppio tubo da 100 mm e 80 mm con sistema di miscelazione gas a 4 canali e sistema sottovuoto

Forno a scorrimento CVD a doppio tubo da 100 mm e 80 mm con sistema di miscelazione gas a 4 canali e sistema sottovuoto

Questo forno a scorrimento CVD a doppio tubo presenta un design con tubo esterno da 100 mm e interno da 80 mm per una ricerca flessibile sugli elettrodi. Integrato con una stazione di miscelazione gas a 4 canali e un sistema sottovuoto, consente un rapido trattamento termico e una precisa crescita del grafene.

Articoli correlati