Forno per trattamento termico rapido (RTP) a 1100°C con caricamento dal basso e atmosfera controllata per la ricottura di wafer e la ricerca sulla catalisi

Forno tubolare

Forno per trattamento termico rapido (RTP) a 1100°C con caricamento dal basso e atmosfera controllata per la ricottura di wafer e la ricerca sulla catalisi

Numero articolo: TU-C30

Tasso massimo di riscaldamento: 50°C/s Temperatura massima: 1100°C Elemento riscaldante: 12 lampade a infrarossi a onde corte (18kW)
Qualità Assicurata Fast Delivery Global Support

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Panoramica del prodotto

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Questo sistema di trattamento termico ad alte prestazioni è progettato per applicazioni di Rapid Thermal Processing (RTP) che richiedono gradienti di temperatura estremi e una gestione precisa dell'atmosfera. Utilizzando la tecnologia a infrarossi a onde corte e una configurazione automatizzata a caricamento dal basso, l'unità fornisce una piattaforma versatile per la ricerca avanzata sui materiali, in particolare dove i cicli di riscaldamento e raffreddamento rapidi sono fondamentali per mantenere l'integrità della microstruttura e ottenere trasformazioni di fase uniche. Il design a caricamento dal basso garantisce una facile manipolazione dei campioni e un disturbo termico minimo alla zona di riscaldamento durante i cicli di carico e scarico.

I settori di riferimento includono la produzione di semiconduttori, la ricerca scientifica sui materiali e lo sviluppo di catalizzatori. L'apparecchiatura eccelle in ambienti in cui l'alto rendimento è essenziale, offrendo un'integrazione perfetta con sistemi di manipolazione robotica per il funzionamento autonomo. Ciò garantisce che i profili termici complessi vengano eseguiti con una precisione ripetibile, riducendo l'errore umano e aumentando la produttività del laboratorio. Che venga utilizzato per la ricottura di wafer di silicio o per la sintesi di catalizzatori avanzati, il sistema offre la flessibilità termica richiesta per l'innovazione all'avanguardia.

Costruito con componenti di grado industriale e un'architettura di raffreddamento a doppio strato, questo forno garantisce stabilità in cicli di lavoro impegnativi. Il suo design robusto è abbinato a un sofisticato controllo software, che fornisce l'affidabilità richiesta per processi industriali sensibili e progetti di R&S ad alto rischio. La combinazione di isolamento in fibra di allumina ad alta purezza e un efficiente sistema di raffreddamento ad aria assicura che l'apparecchiatura rimanga una risorsa affidabile in qualsiasi laboratorio o ambiente di produzione pilota.

Caratteristiche principali

  • Riscaldamento a infrarossi ultra-rapido: Dodici lampade a infrarossi a onde corte forniscono velocità di riscaldamento rapide fino a 50°C/s, consentendo un controllo preciso della cinetica termica durante i processi di ricottura rapida e riducendo al minimo la diffusione indesiderata.
  • Meccanismo di caricamento dal basso automatizzato: Il piano porta-campioni motorizzato facilita il carico e lo scarico fluido e senza vibrazioni, garantendo la stabilità del campione e consentendo un'integrazione agevole con automazione esterna e bracci robotici.
  • Controllo avanzato dell'atmosfera: I regolatori di flusso massico integrati e i vacuometri ad alta precisione consentono una gestione stabile della micro-pressione positiva (103.000–120.000 Pa) e sequenze di spurgo del gas complesse per la sinterizzazione in atmosfera protettiva.
  • Regolazione precisa della temperatura PID: Un controller intelligente programmabile a 50 segmenti mantiene la precisione della temperatura entro ±1°C, con aggiornamenti opzionali a ±0.1°C per requisiti di laboratorio ad altissima precisione.
  • Compatibilità robotica ad alto rendimento: Il sistema è progettato per comunicare con bracci robotici tramite protocolli open-source e TCP/IP, supportando il funzionamento autonomo continuo di più unità per processi su larga scala.
  • Gestione termica efficiente: Un design della camera a doppio strato con un sistema di raffreddamento ad aria attivo mantiene l'involucro esterno sicuro al tatto, proteggendo al contempo l'elettronica interna durante le esecuzioni ad alta temperatura.
  • Acquisizione dati completa: Il software dedicato registra e visualizza dati in tempo reale su pressione, temperatura e flusso di gas, garantendo la piena tracciabilità e la registrazione dei dati per il controllo qualità e la documentazione di ricerca.
  • Sigillatura di grado industriale: Il sistema a flangia raffreddato ad acqua in acciaio inossidabile preserva l'integrità del vuoto e la purezza dell'atmosfera, garantendo risultati costanti anche quando si opera alla temperatura massima di 1100°C.
  • Piano porta-campioni versatile: Dotato di un tubo in quarzo ad alta purezza e un piano porta-campioni personalizzabile, l'apparecchiatura ospita varie dimensioni di campioni, inclusi wafer fino a 6 pollici per diverse esigenze di ricerca.

Applicazioni

Applicazione Descrizione Vantaggio principale
Ricottura di wafer semiconduttori Riscaldamento rapido di wafer di silicio o semiconduttori composti fino a 6" per attivare i droganti o riparare i danni al cristallo. Budget termico minimo e ripristino preciso del reticolo cristallino.
Catalisi a singolo atomo Trattamento ad alta temperatura dei materiali precursori per sintetizzare e stabilizzare catalizzatori a singolo atomo su vari substrati. Eccezionale uniformità e controllo sulle trasformazioni su scala atomica.
Sinterizzazione ad alto rendimento Utilizzo di bracci robotici per elaborare più campioni in rapida successione per lo screening di librerie di materiali. Tempi di ciclo significativamente ridotti e maggiore velocità di ricerca.
Cristallizzazione di film sottili Trattamento termico rapido di film sottili funzionali per migliorare le proprietà elettriche e ottiche. Crescita controllata dei grani e qualità del film superiore.
Trattamento termico sottovuoto Elaborazione di materiali sensibili sotto livelli di vuoto controllati (fino a 10⁻⁴ Torr) per prevenire l'ossidazione. Ambiente ad alta purezza per materiali sensibili all'ossigeno.
Evoluzione della fase dei materiali Studio della rapida trasformazione dei materiali sotto cambiamenti di temperatura estremi. Velocità di riscaldamento e raffreddamento altamente ripetibili per studi cinetici.
Produzione pilota autonoma Integrazione in linee automatizzate per la produzione di componenti elettronici specializzati. Riduzione dei costi di manodopera e miglioramento della coerenza del processo.

Specifiche tecniche

Caratteristica Dettagli delle specifiche (TU-C30)
Identificativo modello TU-C30
Alimentazione Trifase AC 208V, 50/60Hz
Potenza massima 18 kW
Temperatura operativa massima 1100°C (≤ 30 minuti)
Temperatura operativa a lungo termine 1000°C
Elemento riscaldante 12 lampade a infrarossi a onde corte, 1.5 kW per lampada
Dimensioni zona di riscaldamento Φ210mm × 100mm
Velocità di riscaldamento (da TA a 900°C) Consigliata: 10°C/s; Massima: 50°C/s
Velocità di raffreddamento (sigillato) 800°C a 350°C: 55°C/min; 350°C a 200°C: 5°C/min
Velocità di raffreddamento (camera aperta) 800°C a 350°C: 200°C/min; 350°C a 50°C: 35°C/min
Controllo temperatura Controllo automatico PID, programmabile a 50 segmenti
Precisione temperatura ±1°C (Aggiornamento Eurotherm opzionale: ±0.1°C)
Tipo di termocoppia Tipo K
Integrità del vuoto 10⁻² Torr (pompa meccanica) a 10⁻⁴ Torr (pompa molecolare)
Materiale della camera Isolamento in fibra di allumina ad alta purezza
Materiale del tubo Tubo in quarzo ad alta purezza Φ200mm
Piano porta-campioni Φ105mm con incavo 76×58mm (personalizzabile)
Regolatore di flusso massico (MFC) Intervallo: 0-5000 sccm
Controllo atmosfera Micro-pressione positiva (103.000–120.000 Pa)
Interfaccia e dati Comunicazione PC DB9, TCP/IP, Modbus, Wireless
Funzionalità software Controllo remoto del vuoto, flusso di gas e cicli termici; Supporto multi-unità
Sistema robotico opzionale Carico 5kg, sbraccio 1096mm, ripetibilità ±0.02mm
Refrigeratore d'acqua (opzionale) Capacità di raffreddamento 51880 BTU/h; alimentazione trifase

Perché scegliere TU-C30

  • Prestazioni termiche senza pari: La combinazione di riscaldamento a infrarossi a onde corte da 18kW e controllo PID avanzato consente all'apparecchiatura di raggiungere velocità di riscaldamento che superano i forni a resistenza tradizionali di un ordine di grandezza, rendendola ideale per la scienza dei materiali moderna.
  • Costruito per l'automazione: Progettato specificamente per ambienti ad alto rendimento, questo sistema è uno dei pochi nella sua categoria a offrire supporto nativo per l'integrazione di bracci robotici e il controllo PC multi-unità, riducendo drasticamente l'intervento manuale.
  • Qualità costruttiva superiore: Dalle flange raffreddate ad acqua in acciaio inossidabile ai componenti interni in quarzo ad alta purezza, ogni aspetto di questa unità è progettato per una durata a lungo termine e la conservazione di ambienti di elaborazione ad alta purezza.
  • Tracciabilità del processo: La nostra suite software completa fornisce registrazioni digitali complete di ogni ciclo di riscaldamento, variazione di pressione e regolazione del flusso di gas, soddisfacendo i requisiti più rigorosi per l'assicurazione della qualità industriale e la verifica della ricerca.
  • Personalizzazione flessibile: Che tu richieda livelli di vuoto specifici, piani porta-campioni specializzati o configurazioni personalizzate per la gestione del gas, il nostro team di ingegneri può adattare il sistema per soddisfare i tuoi esatti requisiti tecnici.

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