Forno a Carico Inferiore per Trattamento Termico Rapido RTP con Controllo dell'Atmosfera 1100C, Elevata Produttività, Velocità di Riscaldamento 50C al Secondo

Forno ad atmosfera

Forno a Carico Inferiore per Trattamento Termico Rapido RTP con Controllo dell'Atmosfera 1100C, Elevata Produttività, Velocità di Riscaldamento 50C al Secondo

Numero articolo: TU-DZ11

Velocità massima di riscaldamento: 50°C/s Intervallo di temperatura: 1100°C massimo (1000°C in continuo) Capacità wafer: Fino a 6 pollici di diametro
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Panoramica del Prodotto

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Questo sistema di trattamento termico rapido (RTP) rappresenta l'apice della tecnologia di trattamento termico ad alta velocità, progettato specificamente per la scienza dei materiali avanzata e la ricerca sui semiconduttori. Utilizzando il riscaldamento a infrarossi a onda corta ad alta intensità, l'apparecchiatura raggiunge velocità di salita eccezionali fino a 50°C/s, consentendo un controllo preciso sul bilancio termico e sulle transizioni di fase. Questa unità è progettata come sistema a carico inferiore, che migliora significativamente la sicurezza nella manipolazione dei campioni e consente un'integrazione perfetta con i flussi di lavoro robotizzati automatizzati nei moderni ambienti di laboratorio ad alta produttività.

I casi d'uso principali per questa apparecchiatura includono la preparazione di catalizzatori a singolo atomo, la ricottura rapida di wafer di silicio o semiconduttori composti fino a 6 pollici e complessi processi di sinterizzazione in cui le velocità di raffreddamento e riscaldamento sono critiche per le proprietà del materiale. La capacità del sistema di operare in atmosfere strettamente controllate o condizioni di alto vuoto lo rende indispensabile per i ricercatori nel campo della nanotecnologia, dell'accumulo di energia e dei componenti elettronici. Il suo design robusto garantisce che possa resistere alle sollecitazioni termiche ripetitive associate ai cicli rapidi senza compromettere l'integrità strutturale o la ripetibilità del processo.

Gli acquirenti industriali e accademici possono contare su questo sistema per prestazioni costanti in condizioni di ricerca e sviluppo impegnative. La combinazione di controllo PID di precisione, contenimento in quarzo ad alta purezza e software avanzato di registrazione dei dati fornisce una base affidabile per scalare gli esperimenti su scala di laboratorio alla produzione pilota industriale. La versatilità dell'apparecchiatura nella gestione dell'atmosfera, che va dalla micro-pressione positiva all'alto vuoto, garantisce che soddisfi i rigorosi standard richiesti per i processi sensibili di deposizione chimica da vapore e ricottura.

Caratteristiche Principali

  • Riscaldamento Ultraveloce a Infrarossi a Onda Corta: Dotato di 12 lampade a infrarossi a onda corta ad alta potenza, questo sistema raggiunge una velocità di riscaldamento massima di 50°C/s. Ciò consente ai ricercatori di minimizzare la diffusione indesiderata e massimizzare la produttività per processi termici sensibili al tempo.
  • Meccanismo di Carico Inferiore Automatizzato: Il sistema di caricamento verticale preciso del campione garantisce un posizionamento stabile e consente la sigillatura automatizzata della camera del forno. Questa configurazione è ideale per campioni delicati e facilita l'integrazione con bracci robotici esterni per il funzionamento 24 ore su 24, 7 giorni su 7.
  • Controllo Avanzato dell'Atmosfera e del Vuoto: Il sistema integrato è dotato di un vacuometro a resistenza ad alta precisione e supporta il controllo della micro-pressione positiva (103.000–120.000 Pa). Ciò garantisce un ambiente stabile e privo di contaminanti per reazioni chimiche sensibili e sintesi di materiali.
  • Scalabilità Multi-Unità e Controllo via PC: Il software proprietario supporta il controllo simultaneo di più unità di forno da una singola postazione di lavoro. Questa capacità consente l'implementazione di cluster di forni che possono essere sincronizzati con il posizionamento robotizzato dei campioni per campagne di sinterizzazione massicce ad alta produttività.
  • Gestione Termica PID di Precisione: Un controller di temperatura programmabile intelligente a 50 segmenti mantiene una precisione di ±1°C. Per requisiti di precisione estremi, un aggiornamento opzionale a un controller Eurotherm fornisce una stabilità di ±0,1°C, garantendo una perfetta ripetibilità tra i lotti.
  • Costruzione Robusta della Camera a Doppio Strato: Il forno utilizza un guscio in acciaio inossidabile a doppio strato con raffreddamento ad aria integrato. Questa scelta progettuale mantiene basse le temperature esterne per la sicurezza dell'operatore e aumenta la longevità dell'elettronica interna e degli elementi riscaldanti.
  • Isolamento in Fibra di Allumina ad Alta Purezza: La fibra di allumina ad alta densità fornisce un isolamento termico superiore e un'efficienza energetica. Questa scelta del materiale garantisce tempi di risposta rapidi minimizzando la massa termica del rivestimento del forno.
  • Controllo Integrato del Flusso di Massa (MFC): Il sistema include MFC integrati con un intervallo di 0-5000 sccm, consentendo un'erogazione precisa del gas durante il trattamento atmosferico e garantendo stechiometria costante nei materiali lavorati.
  • Acquisizione Dati Completa: Il pacchetto software incluso registra tutti i parametri critici, inclusi i profili di temperatura, i livelli di vuoto e le portate di gas. Questi dati possono essere esportati e caricati tramite interfacce di comunicazione standard per una tracciabilità completa del processo.

Applicazioni

Applicazione Descrizione Vantaggio Chiave
Ricottura di Wafer per Semiconduttori Ricottura termica rapida di wafer di silicio, GaAs o SiC fino a 6 pollici di diametro. Minimizza la diffusione del drogante e il bilancio termico migliorando al contempo la struttura cristallina.
Catalisi a Singolo Atomo Sintesi e trattamento precisi di materiali catalitici a specifici plateau di temperatura. Fornisce la risposta termica ad alta velocità necessaria per congelare gli stati cinetici nei materiali catalitici.
Sinterizzazione ad Alta Produttività Sinterizzazione automatizzata di campioni ceramici o metallici utilizzando l'integrazione robotica per il funzionamento continuo. Riduce drasticamente i costi di manodopera e aumenta il volume di campioni per la ricerca e sviluppo industriale.
Ossidazione Termica Rapida (RTO) Formazione di strati sottili di ossido sulle superfici dei substrati a concentrazioni di ossigeno controllate. Garantisce strati dielettrici uniformi e di alta qualità con controllo dello spessore sub-nanometrico.
Cristallizzazione di Film Sottili Riscaldamento rapido di film sottili depositati per promuovere la crescita dei grani e migliorare la conducibilità. Impedisce la degradazione del substrato limitando la durata dell'esposizione ad alte temperature.
Sintesi di Nanotubi di Carbonio Processi CVD in atmosfera controllata per la crescita di nanotubi e strutture di grafene. Il controllo preciso del flusso e le rapide discese di temperatura consentono un controllo stretto sulla morfologia della nanostruttura.

Specifiche Tecniche

Sistema Principale: TU-DZ11

Parametro Specifiche
Alimentazione AC trifase 208V, 50/60Hz
Potenza Massima 18 kW
Temperatura di esercizio massima 1100℃ (≤ 30 minuti)
Temperatura di esercizio a lungo termine 1000℃
Elementi Riscaldanti 12 lampade a infrarossi a onda corta (1,5 kW per lampada)
Zona di Riscaldamento Φ210mm × 100mm
Velocità di Riscaldamento Consigliata 10℃/s; Massima 50℃/s
Velocità di Raffreddamento (Sigillato) da 800℃ a 350℃: 55℃/min; da 350℃ a 200℃: 5℃/min
Velocità di Raffreddamento (Aperto) da 800℃ a 350℃: 200℃/min; da 350℃ a 50℃: 35℃/min
Precisione di Controllo della Temperatura ±1℃ (Aggiornamento opzionale Eurotherm per ±0,1℃)
Controllo del Sistema di Vuoto Vacuometro a resistenza integrato; controllo 103.000–120.000 Pa
Controllo del Flusso di Gas MFC integrato (0-5000 sccm)
Materiale del Tubo Quarzo ad alta purezza Φ200mm
Portacampioni Diametro 105mm con incavo 76×58mm (personalizzabile)
Sistema di Flange Flange di tenuta in acciaio inossidabile raffreddate ad acqua con porta vuoto KF25

Assistenza Robotica Opzionale

Caratteristica Dati Braccio Robotico
Carico Nominale 5 kg
Raggio di Lavoro 900 mm
Portata Massima del Braccio 1096 mm
Precisione di Ripetizione ±0,02 mm
Comunicazione TCP/IP, Modbus, Rete Wireless
Peso 25 kg

Refredditore ad Acqua e Vuoto Opzionali

Unità Dati di Prestazione
Refredditore (KJ6500) Capacità di raffreddamento 51880 BTU/h; potenza del compressore 4,6kW-5,12kW
Pompa Meccanica Livello di vuoto fino a 10⁻² Torr
Pompa Molecolare Livello di vuoto fino a 10⁻⁴ Torr
Pompa a Palette Rotanti Certificata NRTL, 240 L/min per impieghi gravosi con filtro di scarico

Perché Sceglierci

  • Velocità Termica Incomparabile: La velocità di salita di 50°C/s di questa unità permette l'esplorazione di fasi materiali irraggiungibili con i forni resistivi standard, fornendo un vantaggio competitivo significativo nella ricerca.
  • Pronto per l'Industria 4.0: Con supporto nativo per l'integrazione robotica, controllo multi-unità via PC e cicli software open-source, questo sistema passa senza soluzione di continuità dall'uso manuale di laboratorio a cicli di produzione completamente autonomi 24 ore su 24.
  • Ingegneria e Tenuta di Precisione: Le flange raffreddate ad acqua in acciaio inossidabile di alta specifica e la regolazione intelligente della pressione garantiscono i più alti livelli di purezza dell'atmosfera, proteggendo i campioni sensibili dall'ossidazione o dalla contaminazione.
  • Infrastruttura di Ricerca Scalabile: La possibilità di gestire più unità tramite un'unica interfaccia rende questa apparecchiatura la scelta ideale per le strutture di ricerca in espansione che richiedono risultati coerenti e riproducibili su più linee di lavorazione.
  • Qualità Costruttiva Eccezionale: dall'isolamento in fibra di allumina ad alta purezza alla regolazione della potenza con raddrizzatore controllato al silicio (SCR), ogni componente è selezionato per durabilità a lungo termine e coerenza operativa in ambienti ad alta intensità.

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