Forno RTP
Forno a tubo diviso ad alta temperatura 1200°C con meccanismo di traslazione interno per ricerca HPCVD e crescita di cristalli
Numero articolo: TU-RT07
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Panoramica del prodotto
Questo sistema di trattamento ad alta temperatura è un sofisticato forno a tubo diviso da 2 pollici progettato per la sintesi avanzata di materiali e la ricerca termica. Al suo interno, l'unità integra uno speciale meccanismo di traslazione che consente ai ricercatori di controllare con precisione la posizione della navicella o del crogiolo all'interno della camera di riscaldamento sotto vuoto. Questa capacità è fondamentale per i processi che richiedono un movimento dinamico attraverso un gradiente termico, fornendo una piattaforma versatile per la deposizione chimica da vapore ibrida fisica (HPCVD) e la crescita di cristalli ad alta purezza. Il design a forno diviso migliora ulteriormente l'efficienza operativa, consentendo un raffreddamento rapido e un facile accesso al tubo di processo.
Progettato per gli ambienti di laboratorio più esigenti, questa apparecchiatura funge da strumento critico per i ricercatori nel campo della scienza dei materiali, dello sviluppo di semiconduttori e della chimica dello stato solido. Facilitando il trattamento termico multifunzionale, inclusi l'evaporazione termica rapida (RTE) e la crescita di cristalli di Bridgman orizzontale, il sistema consente agli utenti di esplorare strutture cristalline di nuova generazione e complessi strati di film sottili. L'integrazione di quarzo ad alta purezza e componenti in acciaio inossidabile progettati con precisione garantisce che l'ambiente di processo rimanga privo di contaminazioni, anche quando si opera a temperature che raggiungono i 1200°C.
Affidabilità e coerenza sono i tratti distintivi di questa unità di trattamento termico. Costruito con elementi riscaldanti di grado industriale e un robusto sistema di azionamento controllato da PLC, offre prestazioni ripetibili in centinaia di cicli. La combinazione di una regolazione avanzata della temperatura PID e della precisione meccanica garantisce che le condizioni sperimentali siano mantenute con estrema accuratezza. Che venga utilizzato per lo sviluppo di prototipi su piccola scala o per la caratterizzazione fondamentale dei materiali, questo sistema fornisce la stabilità e il controllo necessari per la ricerca e sviluppo industriale all'avanguardia e per la ricerca accademica di alto livello.
Caratteristiche principali
- Meccanismo di traslazione interno di precisione: L'apparecchiatura è dotata di uno speciale motore passo-passo da 24VDC, 100W che aziona la navicella del campione all'interno del tubo di quarzo. Ciò consente un movimento lineare controllato fino a 100 mm a velocità costante, essenziale per la solidificazione direzionale e l'esposizione termica graduata.
- Controllo touch screen PLC integrato: Un'interfaccia digitale centralizzata gestisce sia il profilo termico che la distanza di traslazione meccanica. Questa integrazione consente agli utenti di sincronizzare le variazioni di temperatura con il posizionamento del campione, un requisito critico per complessi protocolli di deposizione da vapore.
- Capacità di trattamento termico rapido (RTP): Spostando il supporto del campione dentro o fuori da una zona calda preriscaldata, questo sistema può raggiungere velocità di riscaldamento e raffreddamento significativamente più elevate rispetto ai forni stazionari, imitando efficacemente le condizioni RTP per la ricottura di film sottili.
- Campo termico in quarzo ad alta purezza: Il sistema utilizza un tubo di processo in quarzo di alta qualità, che offre un'eccellente inerzia chimica e resistenza agli shock termici. Ciò garantisce che non vengano introdotte impurità nell'atmosfera di reazione, anche durante le reazioni in fase gassosa ad alta temperatura.
- Controllo superiore del vuoto e dell'atmosfera: L'unità è dotata di flange a tenuta di vuoto con soffietti in acciaio inossidabile che rimangono ermetici anche mentre il meccanismo interno è in movimento. Ciò consente un trattamento stabile sotto alti livelli di vuoto o in ambienti a gas inerte controllato.
- Regolazione avanzata della temperatura PID: Utilizzando un controller programmabile a 30 step con tecnologia a relè a stato solido, il sistema mantiene una precisione di ±1°C. Ciò garantisce una zona a temperatura costante di 60 mm, fondamentale per mantenere velocità di crescita dei cristalli uniformi.
- Ingegneria del forno diviso: Il design a cerniera divisa del corpo del forno consente un raffreddamento rapido del tubo e facilita il rapido scambio di campioni o tubi di processo, massimizzando la produttività del laboratorio.
- Opzioni multizona espandibili: Per i processi che richiedono gradienti termici più complessi, l'unità può essere aggiornata a una configurazione a doppia zona, fornendo zone a temperatura costante estese o gradienti più ripidi come richiesto dall'applicazione.
Applicazioni
| Applicazione | Descrizione | Vantaggio chiave |
|---|---|---|
| HPCVD | Deposizione chimica da vapore ibrida fisica che coinvolge gas reagenti e vapore di evaporazione. | Controllo preciso sulla miscelazione dei gas e sulla posizione di deposizione. |
| RTE | Evaporazione termica rapida in cui i materiali vengono spostati nella zona calda per un cambio di fase di vapore istantaneo. | Riduce al minimo lo stress termico sui substrati e migliora la purezza del film. |
| Crescita Bridgman | Crescita di cristalli singoli spostando un crogiolo attraverso un gradiente termico controllato. | Migliora l'integrità strutturale del cristallo attraverso una solidificazione costante. |
| Sintesi CNT | Sintesi di nanotubi di carbonio allineati verticalmente utilizzando gas di trasporto e di reazione. | Distribuzione uniforme della fonte di carbonio e ambiente termico stabile. |
| Ricottura di film sottili | Riscaldamento e raffreddamento rapido degli strati depositati per modificare la struttura del grano. | Controllo preciso sulle transizioni di fase e sulle proprietà del materiale. |
| Solidificazione direzionale | Controllo della direzione di raffreddamento dei materiali fusi per influenzare la microstruttura. | Migliori proprietà meccaniche e allineamento del grano nelle leghe. |
| Doping di semiconduttori | Introduzione di impurità nei wafer di semiconduttori a temperature specifiche. | Elevata uniformità sulla superficie del campione tramite controllo del movimento. |
| Trasporto in fase vapore | Utilizzo di agenti di trasporto chimico per far crescere cristalli ad alta purezza dal vapore. | Eccellente controllo spaziale sulle zone di origine e di crescita. |
Specifiche tecniche
Configurazione del sistema: TU-RT07
| Caratteristica | Dettagli della specifica |
|---|---|
| Alimentazione | 208 - 240 VAC, 50/60Hz, 1.2 KW Max |
| Temp. di lavoro max. | 1200°C (breve termine); 1100°C (continuo) |
| Dimensioni tubo di quarzo | 50mm D.E. x 44mm D.I. x 450mm L |
| Lunghezza zona di riscaldamento | 200 mm (8") |
| Zona a temp. costante | 60 mm (±1°C a 1000°C) |
| Controllo temperatura | Controllo automatico PID, 30 step programmabili |
| Precisione di controllo | ±1°C tramite termocoppia di tipo K |
| Meccanismo di traslazione | Motore passo-passo 24VDC (100W) |
| Distanza di traslazione max | 100 mm (all'interno del tubo a tenuta di vuoto) |
| Velocità di traslazione | 180 mm/min (costante) |
| Flange da vuoto | Morsetto rapido da 2" con raccordi da 1/4" e valvola a spillo |
| Livello di vuoto | 10^-2 torr (pompa meccanica); 10^-5 torr (turbopompa) |
| Conformità di sicurezza | Certificazione CE (NRTL/CSA disponibile su richiesta) |
| Navicella campione | Mini-crogiolo 50 x 20 x 20mm (~20ml) |
Velocità tipiche di riscaldamento e raffreddamento (tramite movimento del campione)
| Intervallo di temperatura | Velocità di riscaldamento (Max) | Velocità di raffreddamento (Max) |
|---|---|---|
| 950°C - 850°C | 0.5°C/sec | 7°C - 10°C/sec |
| 650°C - 550°C | 1.0°C - 2.0°C/sec | 1.5°C - 2.0°C/sec |
| 250°C - 150°C | 10°C/sec | N/A |
Perché scegliere questo sistema
- Progettato per la precisione: Questo sistema non è solo un forno, ma uno strumento di precisione che combina un controllo termico ad alta precisione con un movimento meccanico affidabile per risultati scientifici ripetibili.
- Piattaforma di ricerca versatile: La capacità di eseguire HPCVD, RTE e crescita Bridgman in un'unica unità rende questa soluzione eccezionalmente conveniente per i laboratori di materiali multidisciplinari.
- Costruzione robusta: Utilizzando quarzo ad alta purezza ed elettronica di grado industriale, l'apparecchiatura è progettata per una coerenza operativa a lungo termine in condizioni di alto vuoto e alta temperatura.
- Soluzioni personalizzabili: Offriamo un'ampia personalizzazione, tra cui modifiche al portacampioni (AIN o grafite), controllo della velocità di traslazione variabile e sistemi di erogazione del gas multicanale per soddisfare specifiche esigenze di ricerca.
- Conformità completa: La certificazione CE garantisce che il sistema soddisfi rigorosi standard di sicurezza, con certificazioni NRTL o CSA opzionali disponibili per specifici requisiti di laboratorio.
Questo forno progettato con precisione rappresenta un investimento di alta qualità nelle capacità di ricerca della vostra struttura. Contattate oggi stesso il nostro team di vendita tecnica per discutere i vostri requisiti di processo specifici o per richiedere un preventivo formale per una soluzione termica personalizzata.
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