Forno Tubolare a Doppia Zona 1100°C con Tubo in Quarzo da 11 Pollici e Flange a Vuoto per la Lavorazione di Wafer da 8 Pollici

Forno tubolare

Forno Tubolare a Doppia Zona 1100°C con Tubo in Quarzo da 11 Pollici e Flange a Vuoto per la Lavorazione di Wafer da 8 Pollici

Numero articolo: TU-32

Temperatura massima: 1100°C Diametro del tubo: 11" (279mm) D.E. Lunghezza della zona di riscaldamento: 24" (600mm) totale
Qualità Assicurata Fast Delivery Global Support

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Panoramica del Prodotto

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Questo forno tubolare a doppia zona ad alte prestazioni è un sistema sofisticato di trattamento termico progettato per la ricerca avanzata sui materiali e lo sviluppo industriale R&D. Dotato di un tubo in quarzo fuso eccezionalmente grande da 11 pollici di diametro esterno, l'attrezzatura fornisce un ambiente di riscaldamento spazioso adatto per campioni di grandi dimensioni e wafer semiconduttori fino a 8 pollici di diametro. La configurazione a doppia zona consente di creare gradienti termici precisi o una zona a temperatura costante più ampia, offrendo ai ricercatori una flessibilità senza pari nella gestione di profili complessi di trattamento termico. Grazie all'integrazione di un isolamento fibroso in allumina ad alta purezza, questo sistema garantisce la massima efficienza energetica e tempi di risposta termica rapidi.

L'attrezzatura è specificamente progettata per applicazioni ad alta purezza, inclusa la sinterizzazione di campioni di nuovi materiali e il ricottura di wafer semiconduttori sotto vuoto o in atmosfere gassose controllate. I settori target spaziano dalla produzione di semiconduttori e metallurgia alla nanotecnologia e alla ricerca sulle energie rinnovabili. La camera di processo di grande diametro consente una maggiore produttività e l'alloggiamento di crogioli e barche specializzati, rendendola una scelta ideale per i laboratori in transizione dalla sperimentazione su piccola scala allo sviluppo su scala pilota. Le sue robuste capacità di vuoto e le caratteristiche di gestione dei gas facilitano un controllo preciso dell'ambiente chimico durante le fasi critiche di processo.

Affidabilità e coerenza sono i tratti distintivi del design di questa unità. Costruito per resistere a condizioni industriali impegnative, il sistema utilizza controllori digitali PID ad alta precisione e resistenti elementi riscaldanti a filo in NiCrAl per mantenere prestazioni stabili per periodi prolungati. L'inclusione di flange in acciaio inossidabile raffreddate ad acqua protegge l'integrità delle tenute a vuoto, garantendo un ambiente privo di perdite anche durante i cicli ad alta temperatura. Questo impegno verso l'eccellenza ingegneristica assicura che ogni processo, dalla calcinazione di base alla deposizione chimica da vapore avanzata, venga eseguito con risultati ripetibili e ad alta precisione su cui i ricercatori professionisti possono fare affidamento.

Caratteristiche Principali

  • Controllo di Temperatura di Precisione a Doppia Zona: Il sistema presenta due zone di riscaldamento controllate in modo indipendente, ciascuna di 300 mm di lunghezza, gestite da controllori digitali PID ad alta precisione. Ciò consente di stabilire gradienti termici stabili o una zona a temperatura costante combinata di 300 mm con una precisione di ±1°C, essenziale per processi come la crescita di nanonastri TMD.
  • Camera in Quarzo Extra-Large da 11 Pollici: Dotato di un enorme tubo in quarzo fuso da 279 mm di diametro esterno, questo forno ospita campioni di grande formato, inclusi wafer semiconduttori standard da 8 pollici. Il materiale in quarzo ad alta purezza offre un'ottima resistenza agli shock termici e inerzia chimica, garantendo un ambiente privo di contaminanti.
  • Flange a Vuoto Girevoli Avanzate: Le flange a vuoto in acciaio inossidabile presentano un design girevole per un facile caricamento e scaricamento dei campioni. I canali di raffreddamento ad acqua integrati nella struttura a doppio strato della flangia proteggono efficacemente le guarnizioni a O-ring, mantenendo l'integrità del vuoto durante il funzionamento prolungato a temperature fino a 1100°C.
  • Isolamento Termico ad Alta Efficienza: Utilizzando un isolamento fibroso in allumina ad alta purezza, l'attrezzatura minimizza la dispersione di calore e riduce il consumo energetico. Questo isolamento leggero e ad alte prestazioni consente anche velocità di riscaldamento e raffreddamento più rapide, ottimizzando il tempo complessivo del ciclo per la produttività del laboratorio.
  • Elementi Riscaldanti Robusti e Sicurezza: Gli elementi riscaldanti a filo in NiCrAl a lunga durata forniscono una distribuzione del calore uniforme. Per la sicurezza dell'operatore e dell'attrezzatura, è incluso un monitor di temperatura secondario per proteggere da condizioni di sovratemperatura e termocoppie rotte, garantendo tranquillità durante il funzionamento non presidiato.
  • Porte Integrate per Gas e Vuoto: Il sistema include un manometro per vuoto meccanico, due valvole ad ago in acciaio inossidabile e una porta a vuoto KF25. Questo set completo di raccordi consente una gestione precisa dell'atmosfera, supportando livelli di vuoto da 10-2 torr con pompe meccaniche fino a 10-4 torr con sistemi turbomolecolari.
  • Profili di Trattamento Termico Programmabili: Entrambi i controllori di temperatura supportano 30 segmenti programmabili, consentendo agli utenti di automatizzare sequenze complesse di rampa, mantenimento e raffreddamento. Ciò garantisce un'elevata riproducibilità su più lotti, fondamentale per la ricerca standardizzata e il controllo qualità industriale.
  • Interfaccia Computer e Registrazione Dati: L'attrezzatura è compatibile con un software di controllo specializzato basato su Labview, consentendo ai ricercatori di modificare i profili di temperatura, gestire le ricette e registrare i dati in tempo reale su PC per un'analisi e documentazione approfondita post-processo.

Applicazioni

Applicazione Descrizione Vantaggio Chiave
Ricottura di Wafer Semiconduttori Trattamento termico di wafer di grande formato (fino a 8") per riparare difetti cristallini o attivare droganti. Uniformità superiore su tutta la superficie del wafer.
Crescita di Nanonastri TMD Utilizzo delle doppie zone per controllare indipendentemente la pressione del vapore del calcogeno e la temperatura di reazione del substrato. Controllo preciso sulla larghezza dei nanonastri e sulla cinetica di crescita tramite sovrasaturazione.
Pirolisi Catalitica Decomposizione ad alta temperatura di materiali organici, come pneumatici usati, in atmosfere controllate. Prevenzione del surriscaldamento localizzato e dell'eccessiva carbonizzazione tramite gradienti stabili.
Sinterizzazione di Materiali Consolidamento di materiali in polvere in solidi densi per la ricerca su ceramiche strutturali o elettroniche. Densità e struttura del grano coerenti ottenute grazie alla precisione di ±1°C.
Deposizione Chimica da Vapore (CVD) Deposizione precisa di film sottili utilizzando miscele di gas specializzate e tubi di processo di grande diametro. Ospita substrati di grandi dimensioni e flussi di gas ad alto volume per la ricerca scalabile.
Trattamento Termico sotto Vuoto Sollievo delle tensioni o tempra di componenti metallici in un ambiente privo di ossigeno. Elimina l'ossidazione e la contaminazione superficiale durante i cicli ad alta temperatura.

Specifiche Tecniche

Parametro Specifiche per TU-32
Numero di Modello TU-32
Materiale del Tubo Quarzo Fuso ad Alta Purezza
Dimensioni del Tubo 279 mm D.E. x 269 mm D.I. x 1000 mm Lunghezza (11" x 10.6" x 40")
Temperatura Massima 1100°C (< 60 min, sotto gas inerte)
Temperatura Continua 400°C - 1000°C (sotto vuoto o gas in flusso)
Temperatura Opzionale 1150°C (con tubo in quarzo GE 214 potenziato)
Zone di Riscaldamento Doppia zona: 300 mm (12") ciascuna; 600 mm (24") totale
Zona a Temp. Costante 300 mm al centro (±1°C) quando le zone sono impostate in modo identico
Velocità di Riscaldamento Max. 20°C / min
Precisione della Temperatura ±1°C
Controllore di Temperatura Due controllori digitali PID con 30 segmenti programmabili
Termocoppia Doppia tipo K (12" x 1/4" Diam. Sonda con massa)
Elemento Riscaldante Filo Resistivo in NiCrAl
Tensione di Alimentazione 208 - 240V AC, Monofase
Potenza Nominale 8 kW
Flange a Vuoto Acciaio inossidabile a doppio strato, raffreddate ad acqua, tipo girevole
Porte per Vuoto Porta KF25, raccordi per tubo da 1/4", due valvole ad ago
Limite di Vuoto 10-2 torr (pompa meccanica) / 10-4 torr (pompa turbo)
Requisiti di Raffreddamento Flusso acqua ≥ 10L/min, Temp. < 25ºC, Pressione > 25 PSI
Conformità Certificato CE (NRTL/CSA disponibile su richiesta)

Perché Sceglierci

  • Affidabilità di Grado Industriale: Progettato con fili resistivi ad alta durata e isolamento fibroso avanzato, questo sistema è concepito per una coerenza operativa a lungo termine in ambienti di ricerca impegnativi.
  • Capacità su Larga Scala: Il tubo di diametro da 11 pollici è un'offerta rara nei forni su scala da laboratorio, fornendo il volume necessario per la lavorazione di wafer da 8 pollici e grandi lotti di materiali senza richiedere attrezzature di dimensioni industriali.
  • Gestione Termica di Precisione: Il controllo indipendente a doppia zona fornisce la flessibilità termica richiesta per la deposizione chimica da vapore complessa e la crescita di nanostrutture, garantendo il massimo livello di controllo sperimentale.
  • Sicurezza e Protezione Robuste: Il monitoraggio secondario della temperatura integrato e i sistemi di flange raffreddate ad acqua salvaguardano le risorse del tuo laboratorio e garantiscono la longevità delle tenute a alto vuoto.
  • Integrazione Completa: Dalla compatibilità con il software Labview alle opzioni personalizzabili per la miscelazione dei gas e le stazioni a vuoto, questo forno funge da piattaforma completa ed espandibile per le tue esigenze di trattamento termico.

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