Forno RTP
Forno a tubo per trattamento termico rapido (RTP) a riscaldamento IR a due zone con tubo in quarzo da 4 pollici di diametro interno e portacampioni scorrevoli
Numero articolo: TU-RT28
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Panoramica del prodotto

Questo sistema di trattamento termico rapido (RTP) ad alte prestazioni è progettato per applicazioni avanzate di scienza dei materiali che richiedono rampe termiche estreme e un controllo atmosferico preciso. Utilizzando la tecnologia di riscaldamento a infrarossi (IR) a onde corte, l'apparecchiatura facilita velocità di riscaldamento fino a 50°C/s, rendendola uno strumento essenziale per i laboratori focalizzati sulla sintesi di materiali bidimensionali, film sottili superconduttori e ricottura di semiconduttori. La configurazione a doppia zona consente una gestione indipendente della temperatura in due aree distinte, permettendo reazioni in fase vapore complesse in cui i gradienti di temperatura sono critici per il successo.
Progettato specificamente per la deposizione ibrida fisica-chimica da vapore (HPCVD), questo sistema fornisce una piattaforma sofisticata per i ricercatori per evaporare sorgenti solide in una zona mantenendo un ambiente di deposizione controllato nella seconda. L'inclusione di doppi portacampioni scorrevoli migliora drasticamente l'efficienza operativa, consentendo il rapido caricamento, recupero e tempra dei campioni senza interrompere l'equilibrio termico del nucleo del forno. Questa unità rappresenta un salto significativo nella produttività e nella coerenza del trattamento termico per ambienti di R&S esigenti.
Costruita con un involucro in acciaio a doppio strato e raffreddamento ad aria integrato, l'apparecchiatura garantisce una temperatura superficiale esterna sicura anche durante cicli ad alta intensità. L'affidabilità è integrata in ogni componente, dal tubo di processo in quarzo fuso ad alta purezza alle guide scorrevoli rettificate di precisione. Questo forno è costruito per resistere ai rigori della ricerca industriale continua, fornendo risultati coerenti e ripetibili in migliaia di ore di funzionamento in ambienti sottovuoto o con gas inerte.
Caratteristiche principali
- Riscaldamento IR a onde corte ultra-rapido: Utilizzando sedici tubi riscaldanti alogeni da 1,5 kW, questo sistema raggiunge una velocità di riscaldamento massima di 50°C/s. Ciò consente una ricottura termica rapida e un controllo preciso sulle trasformazioni dei materiali guidate dalla cinetica, impossibili con i normali elementi riscaldanti resistivi.
- Controllo indipendente a doppia zona: Due zone di riscaldamento da 195 mm sono gestite da controller SCR separati ad alta precisione. Ciò consente la creazione di gradienti termici ripidi o zone isotermiche perfettamente uniformi su una lunghezza totale di 390 mm, offrendo la massima flessibilità per i processi HPCVD e di trasporto di vapore.
- Trasporto campioni scorrevole di precisione: L'unità è dotata di doppie guide scorrevoli in acciaio cromato, che supportano due portacampioni. Questo meccanismo consente agli operatori di spostare i campioni nella zona calda nel momento esatto richiesto per il riscaldamento flash o di estrarli nella zona ambiente per una tempra rapida.
- Gestione avanzata della temperatura PID: Ogni zona è dotata di un controller digitale che offre 30 segmenti programmabili. Ciò consente l'automazione di complessi profili di riscaldamento, mantenimento e raffreddamento con una precisione di ±1°C, garantendo il massimo livello di ripetibilità nella crescita di film sottili sensibili.
- Architettura robusta per vuoto e gas: Il forno è dotato di flange in acciaio inossidabile raffreddate ad acqua, porte per vuoto KF25 e valvole a spillo per una precisa regolazione atmosferica. Può raggiungere livelli di vuoto fino a 10^-4 Torr con una pompa molecolare, rendendolo adatto a processi ad alta purezza sensibili all'ossigeno.
- Interfaccia PC e controllo integrati: Un modulo di controllo MTS-02 è incluso come standard, consentendo agli utenti di gestire i profili di temperatura, registrare dati in tempo reale e monitorare le prestazioni termiche tramite PC. Questa integrazione digitale è essenziale per i moderni ambienti di laboratorio basati sui dati.
- Sicurezza e raffreddamento migliorati: L'alloggiamento in acciaio a doppio strato è dotato di raffreddamento ad aria attivo per mantenere l'involucro esterno al di sotto dei 60°C. La protezione integrata contro il sovratemperatura e la protezione contro la rottura della termocoppia consentono un funzionamento incustodito in totale tranquillità.
- Percorso del materiale ad alta purezza: Il tubo di processo è costruito in quarzo fuso ad alta purezza, con un diametro esterno di 110 mm e un diametro interno di 106 mm. Ciò fornisce un ambiente pulito per la lavorazione dei materiali consentendo al contempo il monitoraggio visivo della reazione durante i cicli ad alta temperatura.
Applicazioni
| Applicazione | Descrizione | Vantaggio chiave |
|---|---|---|
| Crescita di materiali HPCVD | Utilizzo di una zona per l'evaporazione della sorgente solida e della seconda per la deposizione del substrato. | Controllo preciso sul flusso del precursore e sulla temperatura di crescita. |
| Sintesi di materiali 2D | Crescita di grafene, MoS2 e altri TMD utilizzando cicli termici rapidi. | Dimensione del grano e qualità del cristallo ottimizzate tramite rampe veloci. |
| Ricerca sui superconduttori | Elaborazione di film sottili superconduttori e materiali sfusi. | Le alte velocità di riscaldamento facilitano specifiche trasformazioni di fase. |
| Ricottura termica rapida | Trattamento post-deposizione di wafer semiconduttori e film sottili. | Riduce al minimo la diffusione dei droganti attivando le proprietà elettriche. |
| Trattamento termico flash | Esposizione istantanea dei campioni ad alte temperature utilizzando il sistema a binario scorrevole. | Cattura fasi metastabili attraverso shock termici rapidi. |
| Deposizione da vapore | Deposizione chimica da vapore di rivestimenti avanzati e strati funzionali. | Eccellente uniformità e adesione attraverso la dinamica dei gas controllata. |
| R&S rivestimenti ottici | Stabilizzazione termica di film sottili ottici multistrato. | L'ambiente termico stabile previene la delaminazione degli strati. |
Specifiche tecniche
| Parametro | Dettagli specifiche per TU-RT28 |
|---|---|
| Zone di riscaldamento | Due zone indipendenti, 195 mm ciascuna (390 mm totali) |
| Temperatura massima | 900°C (< 10 min), 800°C (< 30 min), 600°C (Continuo) |
| Elementi riscaldanti | 16 pz tubi IR a onde corte alogeni da 1,5 kW (materiale di consumo) |
| Potenza totale | AC 208-240V monofase; Max 24 kW (richiesta alimentazione 100A) |
| Velocità di riscaldamento max | Da TA a 800°C: 50°C/s; da 800°C a 900°C: 10°C/s |
| Velocità di raffreddamento max | 117°C/min (atmosferica); 60°C/min (200 mTorr) |
| Tubo di processo | Quarzo fuso ad alta purezza: Φ110 (DE) × Φ106 (DI) × 740 (L) mm |
| Sistema a binario scorrevole | Doppie guide in acciaio cromato, lunghezza 400 mm con due portacampioni |
| Controllo temperatura | Doppi controller PID, 30 segmenti programmabili, controllo potenza SCR |
| Precisione temperatura | ±1°C |
| Termocoppia | Due tipo K, 1/4" diametro x 24" lunghezza |
| Flange per vuoto | SS raffreddate ad acqua; Sinistra: passante 1/4"; Destra: KF25 con valvola a saracinesca |
| Livello di vuoto | 10^-2 Torr (pompa meccanica); 10^-4 Torr (pompa molecolare) |
| Requisiti di raffreddamento | Flusso d'acqua ≥ 10L/min; Temp < 25°C; Pressione > 25 PSI |
| Comunicazione PC | Porta RS485 con modulo MTS-02; compatibile LabView |
| Dimensioni | Progettato per banco di laboratorio o integrazione su supporto |
| Conformità | Certificazione CE; NRTL (UL61010) o CSA disponibili su richiesta |
Perché scegliere questo sistema RTP
Scegliere questa apparecchiatura significa investire in una piattaforma progettata per la frontiera della scienza dei materiali. La combinazione di riscaldamento IR ultra-rapido e precisione a doppia zona consente flussi di lavoro sperimentali che i forni resistivi tradizionali semplicemente non possono gestire. La nostra ingegneria si concentra sulla minimizzazione del ritardo termico e sulla massimizzazione della produttività, garantendo che la tua ricerca sia limitata solo dalla tua immaginazione, non dal tuo hardware.
- Velocità termica senza pari: La velocità di rampa di 50°C/s consente test ad alta produttività e l'esplorazione di diagrammi di fase sensibili alla temperatura che richiedono una tempra rapida.
- Progettato con precisione per HPCVD: A differenza delle unità a zona singola, questo sistema è ottimizzato per la deposizione ibrida fisica-chimica da vapore, offrendoti la possibilità di isolare l'evaporazione della sorgente dalla deposizione del substrato.
- Versatilità operativa: Che operi sotto alto vuoto o gas inerte, il sistema offre prestazioni costanti. Il sistema di portacampioni scorrevole è un elemento di differenziazione critico, riducendo l'esposizione del campione a gradienti termici indesiderati.
- Affidabilità comprovata: Costruita con SCR di grado industriale premium, lampade IR a onde corte e quarzo ad alta purezza, questa unità è progettata per una lunga durata in ambienti di R&S esigenti.
- Soluzioni di controllo scalabili: Dall'operazione manuale alla completa integrazione LabView basata su PC, il sistema cresce con i requisiti di gestione dei dati del tuo laboratorio.
Questo sistema è lo standard di riferimento per il trattamento termico rapido nella moderna ricerca sui materiali. Contatta oggi stesso il nostro team di vendita tecnica per un preventivo completo o per discutere di come possiamo personalizzare questo sistema per le tue specifiche esigenze di deposizione da vapore o ricottura.
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