Forno a tubo scorrevole per trattamento termico rapido (RTP) con tubo in quarzo da 4 pollici OD e riscaldamento IR a 900°C

Forno RTP

Forno a tubo scorrevole per trattamento termico rapido (RTP) con tubo in quarzo da 4 pollici OD e riscaldamento IR a 900°C

Numero articolo: TU-RT01

Velocità massima di riscaldamento: 50 °C/s Temperatura operativa massima: 900 °C Diametro del tubo di processo: 4" (100mm) DE
Qualità Assicurata Fast Delivery Global Support

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Panoramica del prodotto

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Questo sistema di trattamento termico rapido (RTP) ad alte prestazioni è progettato per soddisfare le rigorose esigenze della moderna ricerca sulla scienza dei materiali e della R&S industriale. Integrando elementi riscaldanti alogeni a infrarossi (IR) ad alta intensità con un meccanismo di scorrimento a controllo di precisione, questa apparecchiatura facilita cicli termici ultra-rapidi, essenziali per le tecniche di sintesi avanzate. Il valore fondamentale di questa unità risiede nella sua capacità di raggiungere velocità di riscaldamento estreme fino a 50°C/s, mantenendo al contempo la stabilità termica richiesta per i delicati processi di crescita di film sottili e ricottura.

Progettato principalmente per la crescita di grafene, nanotubi di carbonio (CNT) e celle solari a perovskite, questo sistema eccelle nelle applicazioni di deposizione chimica da vapore (CVD) e ricottura termica rapida (RTA). La sua versatilità lo rende un pilastro per i laboratori specializzati in semiconduttori, nanotecnologie e materiali per l'energia rinnovabile. L'apparecchiatura fornisce un ambiente controllato in cui la purezza atmosferica e i gradienti termici sono gestiti con precisione chirurgica, consentendo ai ricercatori di passare dalle fasi di riscaldamento a quelle di raffreddamento senza compromettere l'integrità strutturale del substrato.

L'affidabilità è in primo piano nel design di questo sistema. Dotata di un involucro in acciaio a doppio strato con raffreddamento ad aria integrato, l'unità è costruita per resistere a operazioni prolungate ad alta temperatura, mantenendo la superficie esterna sicura per gli operatori. Ogni componente, dal tubo in quarzo fuso ad alta purezza alle flange per vuoto in acciaio inossidabile, è selezionato per la sua durata e prestazioni in condizioni di vuoto e bassa pressione. Ciò garantisce risultati coerenti e ripetibili in centinaia di cicli, rendendolo un investimento affidabile per ambienti di ricerca ad alto rendimento.

Caratteristiche principali

  • Riscaldamento alogeno a infrarossi rapido: Utilizzando otto tubi alogeni da 1kW, questo sistema raggiunge velocità di riscaldamento leader del settore fino a 50°C/s. Ciò consente salti di temperatura quasi istantanei, critici per minimizzare la diffusione dei droganti e ottenere specifiche fasi cristalline nei film sottili.
  • Meccanismo di raffreddamento scorrevole automatizzato: Il forno è montato su un sistema di scorrimento motorizzato a doppio binario. Al completamento del programma di riscaldamento, l'unità si allontana automaticamente dall'area del campione mentre le ventole integrate forniscono un raffreddamento ad aria attivo, consentendo velocità di raffreddamento superiori a 10°C/s per un rapido quenching.
  • Regolazione termica PID avanzata: L'apparecchiatura dispone di un sofisticato controller automatico PID con 30 segmenti programmabili. Ciò consente agli utenti di definire profili termici complessi, inclusi velocità di rampa, tempi di permanenza e sequenze di raffreddamento, il tutto con una precisione di temperatura di ±1°C.
  • Ambiente di processo in quarzo ad alta purezza: Il tubo di processo da 4 pollici OD è realizzato in quarzo fuso ad alta purezza, garantendo l'assenza di contaminazione dei campioni. Questo tubo di grande diametro è in grado di ricuocere wafer fino a 3 pollici di diametro, offrendo ampio spazio per l'elaborazione in lotti ad alto rendimento.
  • Integrazione completa per il vuoto: Dotato di flange per vuoto in acciaio inossidabile e un vacuometro digitale, il sistema è pronto per l'uso immediato in alto vuoto o in atmosfera controllata. La flangia destra a cerniera semplifica il caricamento e lo scaricamento dei campioni, riducendo significativamente i tempi di inattività tra i cicli sperimentali.
  • Sistema di monitoraggio a doppia zona: Vengono utilizzate due termocoppie di tipo K; una gestisce gli elementi riscaldanti interni del forno mentre l'altra è posizionata direttamente all'interno della zona del campione. Questo doppio anello di feedback garantisce che la temperatura riportata sia quella effettiva percepita dal materiale.
  • Protocolli di sicurezza avanzati: Il sistema include una protezione integrata contro il surriscaldamento e la rottura della termocoppia. Queste caratteristiche di sicurezza a livello hardware consentono il funzionamento senza supervisione, offrendo tranquillità durante lunghi cicli di ricottura o processi CVD complessi.
  • Infrastruttura meccanica robusta: Il tavolo scorrevole è azionato da un motore CC a coppia elevata e supportato da binari in acciaio cromato. Questa costruzione resistente garantisce un movimento fluido e privo di vibrazioni, essenziale per mantenere l'allineamento di campioni delicati durante le transizioni rapide.

Applicazioni

Applicazione Descrizione Vantaggio principale
Sintesi del grafene Crescita di grafene su ampia area tramite CVD su fogli di rame o nichel. Il riscaldamento e raffreddamento rapidi ottimizzano la dimensione del grano e l'uniformità dello strato.
Crescita di nanotubi di carbonio Deposizione controllata di CNT a parete singola o multipla. Il controllo preciso della temperatura garantisce un'attivazione del catalizzatore e velocità di crescita costanti.
Celle solari a perovskite Ricottura termica rapida di film sottili di perovskite per migliorare la cristallinità. Le elevate velocità di riscaldamento minimizzano l'evaporazione del piombo e migliorano la morfologia del film.
Ricottura di semiconduttori Trattamento termico rapido (RTP) di wafer di silicio o semiconduttori composti. Minimizza il budget termico e previene la ridistribuzione indesiderata dei droganti.
Deposizione di film sottili Sviluppo di dielettrici high-k e film sottili metallici per l'elettronica. Le condizioni atmosferiche controllate prevengono l'ossidazione e garantiscono la purezza del film.
Ricerca su materiali 2D Esplorazione di MoS2 e altri dicalcogenuri di metalli di transizione. Il ciclo termico ad alta velocità consente uno screening rapido dei parametri di crescita.
Studi sulle fasi dei materiali Indagine sulle transizioni di fase dipendenti dalla temperatura nelle leghe. La capacità di raffreddare rapidamente i campioni preserva le fasi ad alta temperatura per l'analisi.

Specifiche tecniche

Categoria Parametro Specifica (TU-RT01)
Prestazioni termiche Temp. riscaldamento max 900°C (< 1 ora); 800°C (< 120 min); 600°C (Continuo)
Velocità riscaldamento max 50 °C/s
Velocità raffreddamento max 8 °C/s (da 1000°C a 600°C tramite meccanismo scorrevole)
Precisione temperatura ± 1 °C
Sistema di riscaldamento Elementi riscaldanti 8 tubi alogeni da 1kW (lunghezza riscaldamento 200mm)
Durata elementi Standard 2000 ore (a seconda dell'utilizzo)
Termocoppie Doppio tipo K (Controllo e monitoraggio campione)
Tubo di processo Materiale Quarzo fuso ad alta purezza
Dimensioni 100 mm O.D x 94 mm I.D x 1400 mm L
Dimensione wafer max Fino a 3" di diametro
Sistema meccanico Tipo binario scorrevole Doppio binario in acciaio cromato (lunghezza 1200 mm)
Azionamento scorrimento Motore CC con velocità regolabile (0-70 mm/s)
Range di scorrimento 340 mm
Controllo e Software Tipo controller PID con 30 segmenti programmabili
Comunicazione Porta RS485; modulo MTS-02 per controllo PC incluso
Funzioni di sicurezza Protezione da surriscaldamento e rottura termocoppia
Vuoto e Gas Livello vuoto 10^-2 Torr (Pompa meccanica); 10^-4 Torr (Pompa molecolare)
Tipo flangia Acciaio inossidabile; lato destro a cerniera per un facile caricamento
Flussimetro Integrato, range 16-160 ml/min
Fisico e Alimentazione Alimentazione AC 208-240V monofase, 50/60 Hz; 9KW Max
Involucro Acciaio a doppio strato con raffreddamento ad aria
Conformità Certificato CE; NRTL (UL61010) o CSA disponibili su richiesta

Perché scegliere TU-RT01

  • Agilità termica superiore: A differenza dei forni resistivi tradizionali, questo sistema a infrarossi offre la velocità richiesta per la moderna sintesi di nanostrutture, riducendo i tempi di elaborazione da ore a minuti e consentendo proprietà dei materiali uniche.
  • Ingegneria di precisione e qualità costruttiva: Dal tavolo scorrevole motorizzato all'involucro raffreddato a doppio strato, ogni aspetto di questa unità è progettato per un'affidabilità di livello industriale e la sicurezza dell'operatore in ambienti di laboratorio esigenti.
  • Controllo completo del processo: Con la comunicazione PC integrata e il monitoraggio della temperatura a livello di campione, i ricercatori possono ottenere un livello di registrazione dei dati e ripetibilità del processo irraggiungibile con i forni a tubo standard.
  • Soluzione per il vuoto "chiavi in mano": L'inclusione di flange in acciaio inossidabile di alta qualità, manometri digitali e valvole a spillo di precisione significa che il sistema è pronto per applicazioni in alto vuoto immediatamente dopo l'installazione.
  • Eredità comprovata nella scienza dei materiali: L'architettura di questo forno è uno strumento documentato nella crescita di materiali all'avanguardia come perovskiti e grafene, supportato da un track record globale di prestazioni nelle migliori istituzioni di ricerca.

Il nostro team tecnico è pronto ad assisterti nella configurazione di questo sistema di trattamento termico rapido per soddisfare le tue specifiche esigenze di ricerca. Contattaci oggi per una consulenza tecnica dettagliata o un preventivo formale.

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